Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPP06CNE8N G
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPP06CNE8N G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 85 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
RFQ Online
12801221
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IPP06CNE8N G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
85 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 180µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9240 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IPP06C
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
IPP06CNE8NG
IPP06CNE8NGXK
IPP06CNE8N G-DG
IPP06CNE8NGX
SP000096464
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STP140N8F7
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
990
NUMERO DI PEZZO
STP140N8F7-DG
PREZZO UNITARIO
1.37
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
PSMN4R6-60PS,127
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
7843
NUMERO DI PEZZO
PSMN4R6-60PS,127-DG
PREZZO UNITARIO
1.15
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
PSMN5R0-80PS,127
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
23033
NUMERO DI PEZZO
PSMN5R0-80PS,127-DG
PREZZO UNITARIO
1.37
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
PSMN3R0-60PS,127
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
4251
NUMERO DI PEZZO
PSMN3R0-60PS,127-DG
PREZZO UNITARIO
1.62
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
PSMN7R0-100PS,127
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
4441
NUMERO DI PEZZO
PSMN7R0-100PS,127-DG
PREZZO UNITARIO
1.38
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IPL60R104C7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
IPD50R800CEAUMA1
CONSUMER
IPD082N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
IPN70R750P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223